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Detalhes do produto:
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| Material: | GaN | Tipo: | GaN-FS-10, GaN-FS-15 |
|---|---|---|---|
| Orientação: | ± 0.5° da C-linha central (0001) | TTV: | µm ≤15 |
| Curva: | µm ≤20 | Concentração de portador: | >5x1017/cm3 |
| Espessura típica (milímetros): | N-tipo, Semi-isolando | Resistividade (@300K): | < 0="">106 Ω•cm |
| Área de superfície útil: | > 90% |
Com um amplo intervalo de banda direta (< 3,4 eV), fortes ligações atômicas, alta condutividade térmica e excelente resistência à radiação, o GaN não é apenas um material optoeletrônico de comprimento de onda curto,mas também um bom material alternativo para dispositivos de semicondutores de alta temperaturaCom base nas propriedades físicas e químicas estáveis, o GaN é adequado para aplicações de LED (luz azul, verde, UV), detectores ultravioleta e dispositivos optoeletrônicos de alta potência e alta frequência.
| Especificações | ||
| Tipo | GaN-FS-10 | GaN-FS-15 |
| Tamanho | 10.0 mm × 10,5 mm | 14.0 mm × 15,0 mm |
| Espessura |
Classe 300, Classe 350, Classe 400 |
300 ± 25 μm, 350 ± 25 μm, 400 ± 25 μm |
| Orientação | Eixo C ((0001) ± 0,5° | |
| TTV | ≤ 15 μm | |
| Arco-íris | ≤ 20 μm | |
| Concentração do portador | > 5x1017/cm3 | / |
| Tipo de condução | Tipo N | Semi-isolação |
| Resistividade ((@ 300K) | < 0,5 Ω•cm | > 106Ω•cm |
| Densidade de dislocação | Menos de 5x106cm-2 | |
| Área de superfície utilizável | > 90% | |
| Poluição |
Superfície frontal: Ra < 0,2 nm. Polida para epi Superfície traseira: solo fino |
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| Pacote | Embalado num ambiente de sala limpa de classe 100, em recipientes de wafer único, sob uma atmosfera de nitrogénio. | |
Pessoa de Contato: JACK HAN
Telefone: 86-18655618388
